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题名:
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新型SOI MOSFET器件 / 辛艳辉著 , |
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ISBN:
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978-7-121-32731-5 价格： 28.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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16,146页 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 电子工业出版社 出版日期： 2018.02 |
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内容提要:
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本书共6章：绪论；应变硅SOI技术及短沟道SOI MOSFET基础理论；单Halo全耗尽应变Si SOL MOSFET性能分析；新型双栅应变Si SOI MOSFETT性能分析；非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET性能分析；结论和展望。 |
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主题词:
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SOI结构 集成电路 |
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中图分类法:
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TN431.1 版次： 5 |
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主要责任者:
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辛艳辉 著 |